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元件参数资料
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参数目录38210
> MMFT2N02ELT1 MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
型号:
MMFT2N02ELT1
RoHS:
否
制造商:
ON Semiconductor
描述:
MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
MMFT2N02ELT1 PDF
产品变化通告
Product Obsolescence 30/Dec/2003
标准包装
10
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
1.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
150 毫欧 @ 800mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
580pF @ 15V
功率 - 最大
800mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
标准包装
其它名称
MMFT2N02ELT1OSDKR
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